此次的绿色半导体激光器是在GaN（氮化镓）基板的半极性面上生成GaN类半导体结晶制成的，活性层采用InGaN，GaN基板由住友电工制造。
活性层使用InGaN的普通半导体激光器，其GaN结晶的极性面、即c面（0001）为生长面，以其法线方向（C轴）为生长轴，由此层叠InGaN层等。蓝光光盘使用的蓝紫色半导体激光器以及投影仪光源使用的蓝色半导体激光器利用的也是c面。但是，利用c面时，在“压电电场”影响下波长很难在蓝色波段的基础上再使波长增长到绿色波段。
此次利用的半极性面是指相对c面倾斜的面，具体利用的是｛2021｝面。从理论上说，利用GaN结晶的半极性面能够减弱压电电场的影响。
由于InGaN层结晶构造歪斜而产生的压电极化，c轴方向会产生压电电场，因此，沿着从c轴方向倾斜的方向设定InGaN层的生长轴，可减弱电压电场对生长轴方向的影响。
索尼及住友电工此次未公布相关细节，但表示除了利用半极性面之外，还对半导体激光器的构造、电极及结晶生长等制造工艺进行了全面改进。
绿色半导体激光器设想的主要用途为投影仪光源。据介绍，通过组合红色和蓝色的半导体激光器，可实现NTSC比182％的色彩再现范围。另外，绿色半导体激光器的实用化日期尚未确定。