近日，亨鑫科技收到了美国知识产权局颁发的一项发明专利证书“ 一种宽波束辐射漏泄同轴电缆”。

该发明专利提供了一种宽波束辐射漏泄同轴电缆，包括由内向外依次同轴嵌套的内导体、绝缘层、外导体以及护套，外导体上开设有至少两列槽孔组，至少两列槽孔组分布于外导体圆周方向的不同角度上。通过增加槽孔列数，并将槽孔组分布于外导体圆周方向的不同角度上，可使得漏缆在工作频段内，增加所有频点(特别是较高频)辐射波瓣宽度，使得漏缆辐射波瓣宽度变广，从而使漏缆具有更强的应用场景适用性。

此次获得美国发明专利授权，不仅是亨鑫科技积极拓展国际化知识产权布局的重要突破，更是对亨鑫科技漏缆产品创新性及实用性的国际认可。